Дунин-Барковский А.Р. (RU)

 Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к способам получения полупроводниковых структур с диэлектрической изоляцией. Способ позволяет улучшить геометрические параметры полупроводниковых структур, которые заключаются в снижении прогиба и повышении плоскопараллельности, что снимает ограничения по диаметру изготавливаемых структур вплоть до диаметра 300 мм, а также повышает эко...