Даниелян В.С.

 Изобретение относится к нанесению слоев при пониженном давлении и может быть использовано в микроэлектронике при осаждении полупроводниковых, диэлектрических и проводящих слоев. Уменьшает дефектность и разброс толщины осаждаемых слоев. Устройство включает горизонтальный кварцевый реактор. Реактор выполнен в виде трубы с отверстиями. Отверстия равномерно расположены на ее стенках и выполне...

 Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к технологии изготовления изоляции элементов сверхбольших интегральных схем. Цель - упрощение технологии изготовления изоляции элементов за счет снижения требований к профилю канавок и повышение выхода годных интегральных схем путем устранения пустот в канавках. Согласно изобретению, заполнение канавок двуокисью кремния производят пиро...