Фишель И.Ш.

 Изобретение относится к нанесению слоев при пониженном давлении и может быть использовано в микроэлектронике при осаждении полупроводниковых, диэлектрических и проводящих слоев. Уменьшает дефектность и разброс толщины осаждаемых слоев. Устройство включает горизонтальный кварцевый реактор. Реактор выполнен в виде трубы с отверстиями. Отверстия равномерно расположены на ее стенках и выполне...

 Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к технологии изготовления изоляции элементов сверхбольших интегральных схем. Цель - упрощение технологии изготовления изоляции элементов за счет снижения требований к профилю канавок и повышение выхода годных интегральных схем путем устранения пустот в канавках. Согласно изобретению, заполнение канавок двуокисью кремния производят пиро...

 Изобретение относится к производству интегральных схем с многоуровневыми межсоединениями. Цель изобретения - повышение надежности и выхода годных изделий. Способ включает формирование проводников нижнего уровня, формирование межуровневой изоляции путем нанесения первого диэлектрического слоя толщиной 0,6 - 0,8 толщины межуровневой изоляции, сглаживание рельефа магнетронным ВЧ-распылением...

  Изобретение относится к полупроводниковой технике и микроэлектронике и может быть использовано при производстве интегральных схем. Цель изобретения - повышение выхода годных интегральных схем за счет исключения дополнительного роста 1 пленок AITI и AITISI, а также увеличения стойкости к электромиграции и шипообразованию. Указанная цель достигается тем, что в интегральных схемах металлиза...