ЕГУДИН А.Б.

  Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и может быть использовано пря изготовлении полевых транзисторов с затвором в виде барьера Шоттки. Целью изобретения является повьппение быстродействия за счет уменьшения длины затвора. Способ изготовления полевого транзистора включает формирование многослойного затвора, состоящего Из слоя титана , ванадия и, например, зол...