Анисимова Л.Т.

 Изобретение относится к области технологии полупроводникового производства и может быть использовано при палладировании поверхности полупроводниковых соединений типа А III B V в процессе изготовления, например, светодиодов, инжекционных лазеров, диодов Ганна и т.д. Цель изобретения - повышение качества металлизации и снижение расхода палладия. Согласно изобретению осаждение палладия на по...