Чесноков С.М.

 Изобретение относится к металлургии, в частности к способам обработки листового молибдена. Цель изобретения состоит в снижении хладноломкости при одновременном увеличении поверхностной твердости. В молибден предварительно вводят медь ионной имплантацией дозой 5 1015 - 5 1016 см-2, после чего отжигают при 800 - 1200oС. Способ обеспечивает снижение температуры хладноломкости до 0 - 25oС п...

 Изобретение относится к ионно-лучевой вакуумной технологии получения материалов со специальными свойствами и может быть использовано для упрочения металлообрабатывающего инструмента из сталей и твердых сплавов. Цель изобретения - повышение твердости и износостойкости инструмента при одновременном сокращении времени обработки. Сущность предлагаемого способа - имплантация в приповерхностные...

 Изобретение относится к плазменной технологии получения материалов со специальными свойствами и может найти применение в станкоинструментальной промышленности. Цель изобретения - повышение стойкости режущего инструмента - достигается тем, что в нанесенное на поверхность инструмента износостойкое покрытие из нитрида титана имплантируют ионы соединения WC с энергией 10-100 кэВ и дозой 51016...

 Изобретение относится к технике генерирования ионных пучков и может быть использовано в различных технологических операциях по воздействию ионного пучка на поверхность обрабатываемого изделия. Цель изобретения - повышение эффективности извлечения потока ионов и увеличение ресурса за счет снижения величины разрядного тока. Широкоапертурный источник ионов содержит основную и вспомогательную...

 Способ получения электронного пучка в газовых средах, заключающийся в зажигании в промежутке между катодом и анодом, заполненном газом, объемного высоковольтного импульсного разряда, ускорении электронов в межэлектродном промежутке и извлечении электронного пучка через отверстия в аноде, отличающийся тем, что, с целью повышения КПД формирования электронного пучка и его мощности за счет за...

 Изобретение относится к газоразрядным источникам ионов. Целью изобретения является повышение плотности ионного тока и однородности ионного пучка. Ускоряющий электрод 2 выполнен в виде сеток 3 и 4. Ионы из плазменного эмиттера 1 проходят через сетки и попадают на коллектор 5 ионов. Вторичные электроны с коллектора отражаются сеткой 4. Ток вторичных электронов с сеток 3 и 4 мал из-за высоко...

 Изобретение относится к технике ускорения плазменных потоков и может быть использовано в различных технологических операциях по воздействию плазменных потоков на поверхность изделий таких, как напыление, распыление, имплантация и импульсная закалка. Целью изобретения является повышение скорости плазменного потока заключается в осуществлении импульсного дугового разряда между торцовой пове...