Быстров В.Е.

 Изобретение относится к выращиванию кристаллов из растворов для лазерной техники. Целью изобретения является повышение производительности устройства и качества кристалла. Повышение скорости роста кристалла и его качества обеспечивается формированием тонкого и однородного диффузионного слоя питающего раствора, который подается через щелевидное сопло, периодически перемещающееся вдоль расту...