Лавров Л.А.
Изобретатель Лавров Л.А. является автором следующих патентов:
Устройство для выращивания профилированных кристаллов из раствора
Изобретение относится к выращиванию кристаллов из растворов для лазерной техники. Целью изобретения является повышение производительности устройства и качества кристалла. Повышение скорости роста кристалла и его качества обеспечивается формированием тонкого и однородного диффузионного слоя питающего раствора, который подается через щелевидное сопло, периодически перемещающееся вдоль расту...
1342056