Беневоленский А.В.

 Способ изготовления подзатворного диэлектрика МОП-приборов, включающий формирование на поверхности полупроводниковой подложки слоя диоксида кремния методом термического окисления, нанесение слоя фосфорно-силикатного стекла, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических характеристик приборов путем уменьшения сквозной микропористости слоя диоксида кремния, слой диоксида кремни...