Душкин В.Д.
Изобретатель Душкин В.Д. является автором следующих патентов:

Способ изготовления источника диффузионного легирования
Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности к технологии получения полупроводниковых структур с высокой равномерностью степени легирования диффузионных слоев. Целью изобретения является достижение стабильности источника диффузионного легирования бором в широком диапазоне температур. На пластины нитрида бора наносят слой двуокиси кремния толщиной 0,5 - 1,5 мк...
1347794