Душкин В.Д.

 Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности к технологии получения полупроводниковых структур с высокой равномерностью степени легирования диффузионных слоев. Целью изобретения является достижение стабильности источника диффузионного легирования бором в широком диапазоне температур. На пластины нитрида бора наносят слой двуокиси кремния толщиной 0,5 - 1,5 мк...