Салитра Г.С.

 Способ изготовления фотоанодов на основе внутреннего активного p-n-перехода, включающий осаждение на пластину кремния n-типа проводимости источника диффузанта, содержащего оксид бора, термообработку, формирование защитного слоя с лицевой стороны и омического контакта с обратной стороны пластины, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных фотоанодов за счет улучшения однороднос...