Артамонов М.М.

 Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов и может быть использовано при производстве как отдельных полупроводниковых приборов, так и монолитных интегральных схем на основе полупроводниковых соединений А3 В5. Целью изобретения является улучшение выходных параметров и повышение процента выхода годных приборов путем исключения двухуровневой разводки. Это достигается тем,...

 Изобретение относится к оптоэлектронике и может использоваться в системах оптической обработки информации и в ВОЛС. Цель изобретения - уменьшение управляющей мощности, управление диаграммой направленности и повышение граничной частоты модуляции. Лазер содержит подложку, например p+-GaAs, слой p - Ga1-хAlхAs, слой p-GaAs, слой n - Ga1-уAl4As, первый дополнительный полупроводниковый слой пG...

 Изобретение относится к оптоэлектронике и может быть использовано в передающих модулях . Цель изобретения - обеспечение работы лазера в непрерывном режиме путем улучшения теплоотвода. Лазер содержит подложку n+= СаАs, по одну сторону которой расположены слои, образующие двойную гетероструктуру, и слой СaАs с омическим контактом. По другую сторону подложки размещен слой р-GаАs с контактами...

 Изобретение относится к области оптоэлектроники и может быть использовано в качестве передающего модуля в системах ВОЛС, а также в качестве базовой излучающей ячейки в оптоэлектронных ИС. Изобретение обеспечивает улучшение теплоотвода лазера и повышение степени интеграции схем на этих лазерах. Лазер содержит полуизолирующую подложку 1 арсенида галлия, по одну сторону которой расположены с...

 Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано при формировании СБИС ЗУ на арсениде галлия. Цель изобретения - повышение выхода годных путем увеличения точности задания пороговых напряжений транзисторов посредством влияния на степень нестехиометрии поверхностного слоя aрсенида галлия. Осуществляют формирование канавок для подзатворных областей нормально за...

 Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении полевых транзисторов, работающих на частотах в несколько десятков гигагерц. Целью изобретения является повышение воспроизводимости величины зазоров между активными областями. Цель достигается тем, что в качестве подножки берут арсенид галлия, а затвор выполняют из ниобия либо нитрида ниобия. Формируют маск...