Урицкий В.Я.

 Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и может быть использовано в интегральных схемах, пригодных для работы в широком температурном диапазоне в том числе и при сверхнизких (до 4,2 К) температурах и малых напряжениях. Целью изобретения является уменьшение минимального напряжения на стоке, обеспечивающего работу транзистора при криогенных температурах. МДП-транзистор им...

 Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении структур интегральных схем с диэлектрической изоляцией компонентов. Цель изобретения - улучшение электрических характеристик интегральных схем за счет уменьшения и стабилизации заряда в слое изолирующего оксида кремния. В кремниевой подложке вытравливают рельеф, формируют на рельефе слой изолиру...

 Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике. Целью изобретения является обеспечение работы транзистора при пониженных температурах и больших напряжениях. МДП-транзистор содержит полупроводниковую подложку первого типа проводимости, сформированные в ней области стока и истока второго типа проводимости и электрод затвора. Между областями стока и истока создана дополнительная...

 Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике, в частности к способам формирования диэлектрической изоляции полупроводниковых приборов и интегральных схем. Цель изобретения - повышение качества диэлектрической изоляции за счет снижения плотности встроенного заряда. В данном способе в областях будущей изоляции формируется пористый кремний электролитическим анодированием в плав...

 Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано в технологическом цикле изготовления МДП - транзисторов и интегральных схем на их основе. Цель - обеспечение возможности прогнозирования работоспособности МДП - транзистора в условиях гелиевых температур. Согласно способу при комнатной температуре при отсутствии потенциала на электроде подложки измеряют зависи...