ТРУБАЕВ Г.К.
Изобретатель ТРУБАЕВ Г.К. является автором следующих патентов:

Источник ионов
Изобретение относится к физики заряженных частиц и может быть использовано как источник частиц при легировании и ионной имплантации полупроводников и других материалов. Целью изобретения является увеличение времени непрерывной работы и повышение надежности. Источник ионов содержит анод в виде цилиндра с проточенной полостью для водяного охлаждения . В отверстие, расположенное в ц...
1356874