Климова Г.И.

 Способ изготовления фотопреобразователей, включающий нанесение на поверхность полупроводниковой кремниевой подложки твердого источника легирующей примеси, диффузию и формирование контактов, отличающийся тем, что, с целью повышения качества фотопреобразователей за счет улучшения адгезии контактов к подложке и уменьшения глубины залегания горизонтального p-n-перехода и упрощения технологии...

 Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к полупроводниковым преобразователям солнечной энергии в электрическую. Цель изобретения - повышение надежности преобразователя путем создания эффективного барьера от меди в его контактной системе. Для достижения цели контактную систему фотоэлектрического преобразователя изготавливают следующим образом. На пластину из кремния...

 Изобретение относится к полупроводниковым преобразователям солнечной энергии в электрическую. Цель изобретения - повышение надежности. Контактная система к фотоэлектрическим преобразователям включает последовательно расположенные друг над другом адгезионный слой из пленки силицида хрома, слоя нихрома, меди и антикоррозионного металла или сплава. Положительный эффект достигается при исполь...