Ганичев А.П.

 Изобретение относится к метрологии электрофизических параметров полупроводников и может быть использовано для контроля рекомбинационных параметров стандартных полупроводниковых пластин - скорости поверхностной рекомбинации и объемного времени жизни неосновных носителей заряда. Цель изобретения обеспечение возможности раздельного определения объемного времени жизни и скорости поверхностей...