КУРНОСОВ АЛЕКСАНДР БОРИСОВИЧ

  Изобретение относится к полупроводниковым устройствам для генерирования , усиления, непосредственной модуляции излучения и может быть использовано при создании излучателей различных типов (лазеров, суперлюминесцентных диодов, светодиодов). Инжектирующий слой п-типа проводимости в двойной гетероструктуре излучателя выполнен из прозрачного для излучения проводящего окисла металла т...