Прокофьев С.Б.

 Изобретение относится к области микроэлектроники. Цель изобретения - повышение процента выхода годных. На подложку из стали наносят структуру V-Cu-V-Al, а затем методом селективной фотолитографии формируют проводники 1-го слоя с использованием позитивного фоторезиста. С помощью негативного фоторезиста формируют защитную маску с окнами для переходных контактных столбиков. Переходные окна к...

 Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано при производстве полупроводниковых приборов. Цель - повышение качества очистки поверхности. Состав для очистки поверхности антимонида индия включает, мас.%: оксиэтилированный моноалкилфенол формулы RC6H4O(CH2C2H4O)nH, где n = 9 - 12, в количестве 0,18 - 0,22, гексаметафосфат натрия 0,65 - 0,85, вода до 100. Сост...

 Изобретение относится к микроэлектронике. Цель изобретения - повышение надежности схем за счет исключения коротких замыканий между проводниками. На диэлектрической подложке формируют методом вакуумного напыления проводники первого уровня. Затем на поверхность подложки наносят слой фоторезиста толщиной 0,9 - 1,1 мкм и в нем формируют межслойные переходы. На поверхность фоторезиста наносят...