Суржин В.Н.

 Изобретение касается позитивных фоторезисторов (ФР), в частности на основе о-нафтохинондиазидов, применяемых в производстве радиоэлектронных и микроэлектронных изделий и сверхбольших схем методом контактной и фотопроекционной фотопечати. Цель изобретения - снижение микронеровности пленки ФР и повышение устойчивости в проявителе и травителе, а также разрешающей способности операции задубли...