НАМ Каб-Дзин (KR)
Изобретатель НАМ Каб-Дзин (KR) является автором следующих патентов:
Способ изготовления конденсатора интегральной схемы, имеющего улучшенные характеристики электродного и диэлектрического слоя (варианты), и конденсатор, изготавливаемый этим способом
Изобретение относится к способам изготовления интегральных схем и к способам изготовления конденсаторов интегральных схем и к конденсаторам, изготавливаемым этими способами. Способ изготовления конденсаторов интегральных схем включает операции формирования нижнего электрода конденсатора формированием образца проводящего слоя на полупроводниковой подложке, а затем формирования поверхностно...
2199168