Маляренко А.М.

  Изобретение относится к полупроводниковым детекторам ядерных излучений. Целью изобретения является улучшение разрешающей способности детектора. Цель достигается выполнением детектора в виде p+-n-n+ - структуры на основе кремниевой монокристаллической подложки со слоем двуокиси кремния, ограничивающим p+ - область контактов. При этом подложка выполнена с удельным сопротивлением 100 Oм cм3...