Шишенин Е.И.
Изобретатель Шишенин Е.И. является автором следующих патентов:
Способ измерения толщины чувствительной области полупроводникового кремниевого детектора
Изобретение относится к измерительной технике и предназначено для регистрации ионизирующих излучений при определении параметров чувствительной области кремниевых полупроводниковых детекторов. Целью изобретения является повышение точности измерения путем использования заряженных частиц, образующихся в самой чувствительной области детектора. Образованный в детекторе 1 заряд от прохождения н...
1373084