ДУДИКОВ А.П.

  Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники и применимо в технологии изготовления дискретных транзисторных структур и интегральных схем. Целью изобретения является повышенне процента выхода годных за счет уменьшення токов утечек. На полупроводниковой подложке формируют скрытые слои, наращивают эпитаксиальную пленку, форт1руют область базы. Затем вкрывают зм...