СОСНИЦКИЙ С.С.

  Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники и применимо в технологии изготовления дискретных транзисторных структур и интегральных схем. Целью изобретения является повышенне процента выхода годных за счет уменьшення токов утечек. На полупроводниковой подложке формируют скрытые слои, наращивают эпитаксиальную пленку, форт1руют область базы. Затем вкрывают зм...

  СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК (51) 5 Н 01 L 21/82 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЙ К А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЦТИЯМ IlPH ГКНТ СССР (46) 15,07. 93. Бюл. h" 26 (21) 4168286/25 (22) 08.10.86 (72) В,H,Глущенко, Э.В.Еремич, В.А.Жариков, В.Ф.Колесников и С,С.Сосницкий (56) Патент СИА Р 4. 499. 653, кл. Н 01 L 21/94, 1985 ° Патент...