Драков А.А.

 Использование: в технологиях производства дискретных полупроводниковых приборов и интегральных схем в микроэлектронике. Сущность: расплавляют исходный материал - регистрируют форму фронта кристаллизации, восстанавливают параметры термодинамического режима роста монокристалла по определенной зависимости, оптимизируют рост монокристалла. 1 ил. Изобретение относится к получению сложных полуп...

 Использование: в устройствах защиты электротехнических установок в однофазных и трехфазных сетях с изолированной нейтралью. Технический результат заключается в повышении чувствительности и стабильности работы устройства. Устройство содержит генератор сети, измерительную цепь, составленную из параметрического стабилизатора, второго трехфазного выпрямителя, образованного диодами, высокоомно...