Свириденко И.П.
Изобретатель Свириденко И.П. является автором следующих патентов:
![Способ выращивания монокристаллов полупроводниковых соединений Способ выращивания монокристаллов полупроводниковых соединений](/img/empty.gif)
Способ выращивания монокристаллов полупроводниковых соединений
Использование: в технологиях производства дискретных полупроводниковых приборов и интегральных схем в микроэлектронике. Сущность: расплавляют исходный материал - регистрируют форму фронта кристаллизации, восстанавливают параметры термодинамического режима роста монокристалла по определенной зависимости, оптимизируют рост монокристалла. 1 ил. Изобретение относится к получению сложных полуп...
2105831![Способ выделения кремния Способ выделения кремния](/img/empty.gif)
Способ выделения кремния
Изобретение относится к способу выделения высокочистого кремния из отходов фосфатного производства минеральных удобрений - кремнефтористых соединений натрия или калия, который может быть использован в радиоэлектронике и производстве солнечных батарей, а также в других отраслях, использующих кремний. Сущность изобретения состоит в способе выделения кремния, заключающемся в процессе восстан...
2181104