PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Майор В.И.

Изобретатель Майор В.И. является автором следующих патентов:

Устройство для эпитаксиального выращивания слоев

Устройство для эпитаксиального выращивания слоев

  Изобретение относится к устройствам для выращивания эпитаксиальных слоев соединений A3B5 хлоридно-гидридным методом и может быть использовано в полупроводниковой промышленности. Цель изобретения - улучшить морфологию за счет исключения попадания поликристаллических включений на поверхность слоев. Устройство включает вертикальный реактор. Внутри него размещены коаксиальные трубки для ввод...

1376633