ШАФРАН А.Г.

  Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для определения электронных характеристик границ раздела полупроводник-диэлектрик, определения подвижности носителей заряда в инверсионных каналах, для контроля качества изготовления полупроводниковых приборов на основе структур металлдиэлектрик-полупроводник. Целью изобретения является расширение класса...