ИСАЕВ Г.П.

  Изобретение относится к.технике получения потоков заряженных частиц и может найти применение в ионной имплантации, легировании и нанесении пленок и покрытий. Целью изобретения является увеличение КГЩ источника ионов, плотности ионного -тока и поперечного сечения ионного пучка. На поверхность мишени воздействуют лазерным излучением, мощность которого равна критической мощности исп...

  Изобретение относится к ионным источникам и может найти применение в радиационной физике для модификации физико-хпмических свойств материалов методом ионной имплантации. Цель изобретения - повьпаение эффективности источника за счет управления химическим составом пучка ускоренных ионов. Торцовая поверхность катода сформирована из отдельных элементов, выполненных из различных матер...

  Изобретение относится к технической физике, в частности к радиацирииому материаловедению, и предназначено для улучшения электрофизических, химических и механических свойств поверхности изделий из металлов и сплавов, полупроводников, диэлектриков и др. методом ионной имплантации. Целью изобретения является увеличение концентрации имплантируемой примеси в любом материале, которая в...

  Изобретение относится к источникам ионов и может найти применение в ускорительной технике, в радиационной физике, для улучшения физико-химических свойств полупроводников, диэлектриков и металлов путем имплантации в них различных примесей в виде ускоренных ионов. Целью изобретения является упрошение конструкции и повышение надежности работы уа. Источник ионов содержит цилиндрически...