ЕРМАКОВА О.Н.
Изобретатель ЕРМАКОВА О.Н. является автором следующих патентов:
Способ определения емкости материала с большей шириной запрещенной зоны в гетеропереходах и мдп-структурах
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для контроля параметров полупроводниковых структур при их изготовлении, а также в процессе изготовления нолупроводниковых приборов на их основе. Целью изобретения является расширение функциональных возможностш и повышение точности измерения емкости. Согласно изобретению исследуемый образец освещают модули...
1389606Способ определения емкости области пространственного заряда в полупроводнике и диэлектрика полупроводниковых структур
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для определения емкости области пространственного заряда и диэлектрика в полупроводниковых структурах. Целью изобретения является повышение точности и обеспечение определения емкости области пространственного заряда в гетеропереходах . Образец, содержащий гетеропереход , освещают светом, поглощаемым в мат...
1402201