Игнатьев М.Г.

 (19)SU(11)803744(13)A1(51)  МПК 5    H01L21/338(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ Изобретение относится к электронной технике, а более конкретно к способам изготовления полупроводниковых приборов на эффекте Ганна с управляющим элект...

 (19)SU(11)807915(13)A1(51)  МПК 5    H01L21/72(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 27.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ СОЗДАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ Изобретение относится к электронной технике, и способам создания полупроводниковых приборов (преимущественно полевых транзисторов с барьером Шоттки) и може...

 (19)SU(11)814168(13)A1(51)  МПК 5    H01L21/04(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С ЗАТВОРОМ ТИПА БАРЬЕР ШОТТКИ Изобретение относится к электронной технике, и может быть реализовано при изготовлении полевых транзисторов преимущественно на...

 Изобретение относится к электронной технике и предназначено для создания дискретных полупроводниковых приборов и сверхбыстродействующих интегральных схем. Цель изобретения - повышение надежности металлических дорожек управляющего электрода и повышение воспроизводимости параметров приборов. Способ состоит в следующем. На полуизолирующей подложке выделяют активную область прибора, создают о...

 Изобретение относится к области оптоэлектроники, конкретно к мощным полупроводниковым излучающим диодам ИК и видимого диапазонов длин волн. Сущность изобретения состоит в том, что полупроводниковая структура излучающего диода, состоящая из отдельных мезоструктур, размещена на металлизированной диэлектрической пластине, выполненной из материала с высоким коэффициентом теплопроводности. На...