PatentDB.ru — поиск по патентным документам

ЛУЗАНОВ В.А.

Изобретатель ЛУЗАНОВ В.А. является автором следующих патентов:

Способ нанесения пьезоэлектрических пленок окиси

Способ нанесения пьезоэлектрических пленок окиси

  Изобретение может быть использовано для изготовления преобразователей сдвиговых объемных акустических волн. Цель изобретения - повышение качества пленок за счет получения наклонной ориентации оси их текстуры в диапазоне 40±10° и увеличения однородности этой текстуры по поверхности подложки. Для получения пленки окиси цинка в магнетронном разряде распыляют цинковую дискову...

1394742

Способ получения монокристаллических пленок полупроводниковых материалов

Способ получения монокристаллических пленок полупроводниковых материалов

  СООЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ РЕСПУБЛИК . „„SU„„1484191 А1 (5l)5 Н 01 1. 21/203 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ Н А BTGPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ но, н частности, для изготовления сверхрешеток. Цель изобретения — повышение однородности пленки по стекиометрнческому составу, по толшин», ио в1опп1дп ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ ПРИ ГКНТ СССР (46) 15. 12. 92 Бюл. Р 1...

1484191

Способ получения пленок сверхпроводящих оксидных материалов

Способ получения пленок сверхпроводящих оксидных материалов

  Изобретение относится к получению материалов , обладающих сверхпроводимостью . Цель изобретения - повышение воспроизводимости и однородности параметров пленок. Это достигается тем, что на подогретую подложку осаждают компоненты сверхпроводящей пленки совместно с потоком атомов и ионов кислорода с энергией 50-150 эВ, при этом плотность потока И, частиц кислорода соотносится с плот...

1575856

Способ получения пленок высокотемпературных сверхпроводников

Способ получения пленок высокотемпературных сверхпроводников

  Изобретение относится к сверхпроводимости Цель изобретения - повышение величины критического тока за счет создания текстурированных пленок. (001) с осью текстуры ортогонально плоскости подложки Поставленная цель достигается тем, что после вакуумного напыления пленки состава (TR) Ва2Си3Ог х,где TR У, Ей, Ег, на подложку проводят нагревание пленки до температуры отжига. Отжиг прово...

1651704