ХЛОПОВСКИХ В.М.
Изобретатель ХЛОПОВСКИХ В.М. является автором следующих патентов:

Источник ионов
Изобретение относится к ионным источникам и может найти применение в радиационной физике для модификации физико-хпмических свойств материалов методом ионной имплантации. Цель изобретения - повьпаение эффективности источника за счет управления химическим составом пучка ускоренных ионов. Торцовая поверхность катода сформирована из отдельных элементов, выполненных из различных матер...
1395024