ОСИПЬЯН ЮРИЙ АНДРЕЕВИЧ

  Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов, а именно к установке для выращивания монокристаллов тугоплавких окислов из расплава, и обеспечивает повышение качества кристалла за счет уменьшения механических нарушений. Установка состоит из станины с несущей колонкой, установленной на опорной плите, камеры роста, в которой на нижнем штоке установлен тигель, а на...

  Изобретение относится к обработке материалов , используемых в приборостроении , преимущественно оптическом, и может быть применено при изготовлении окон, призм, линз и других оптических изделий. Обеспечивает сокращение времени процесса и снижение его температуры до комнатной . Способ включает обработку кристаллов под действием гидростатического давления, соответствующего фазовому...