ТАТАРЧЕНКО ВИТАЛИЙ АНТОНОВИЧ

  Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов, а именно к установке для выращивания монокристаллов тугоплавких окислов из расплава, и обеспечивает повышение качества кристалла за счет уменьшения механических нарушений. Установка состоит из станины с несущей колонкой, установленной на опорной плите, камеры роста, в которой на нижнем штоке установлен тигель, а на...

  Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и может быть использовано для изучения поверхностных свойств расплавов и растворов в металлургии и химической промышленности. Целью изобретения является сокращение времени определения при проведении многократных измерений. Для этого вертикальный щуп, погружаемый в жидкость, выполнен в виде трубки с заостренной нижней кромкой...

  Изобретение относится к технологии вытягивания кристаллов из смачиваемого расплавом формообразователя и обеспечивает улучшение макрострук туры боковой поверхности кристалла. ;Вытягивание кристалла ведут с рабочей и боковой поверхностей формообразователя , сопряженных участком с кривизной поверхности, лежащей в пределах 0,5 1/а К 4 1/а, где а - капиллярная постоянная. При случайны...