Варданян Р.Р.

  Изобретение относится к области полупроводниковой техники и может быть использовано для контроля подвижности неосновных носителей заряда в полупроводниковых материалах, используемых для изготовления полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Целью изобретения является упрощение и обеспечение определения подвижности в образцах большей толщины. На поверхности образца в виде полуп...

 Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для определения параметров носителей заряда в полупроводниках. Целью изобретения является обеспечение определения Холловской подвижности, дрейфовой подвижности и времени жизни неосновных носителей заряда. На образец, имеющий выпрямляющий контакт, воздействуют магнитным полем и монохроматическим излучением. Измеряю...

 Изобретение относится к полупроводниковой технике. Цель изобретения увеличение числа измеряемых параметров за счет обеспечения возможности определения подвижности, времени жизни и скорости поверхностей рекомбинации неосновных носителей заряда. Способ основан на измерении диффузионной длины неосновных носителей заряда путем построения зависимости интенсивности света от обратной величины ко...

 Изобретение относится к метрологии электрофизических параметров полупроводников. Цель изобретения повышение точности и упрощение способа определения параметров неосновных носителей заряда (ННЗ) в полупроводниках. Согласно способу образец, имеющий выпрямляющий контакт, облучают фиксированным значением длины волны из длинноволновой области спектральной чувствительности образца. Измеряют фот...

 Сущность изобретения: изобретение позволяет определять время жизни, а также подвижность неосновных носителей заряда в базе как бездрейфового, так и дрейфового транзистора. Для этого в способе, включающем воздействие на транзистор магнитным полем, направляют вектор индукции поля параллельно поверхности коллекторного перехода и измеряют предельную частоту и статический коэффициент усиления...