Максименко И.Г.

  Изобретение относится к технологии полупроводникового производства и может быть использовано при изготовлении кремниевых структур с диэлектрической изоляцией. Цель изобретения - повышение выхода годных структур. На поверхности кремниевой подложки селективным травлением формируют необходимый рельеф, после чего термическим окислением наносят слой двуокиси кремния. На полученную поверхность...