PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Малышева Л.В.

Изобретатель Малышева Л.В. является автором следующих патентов:

Полупроводниковый свч-диод

Полупроводниковый свч-диод

 Полупроводниковый СВЧ-диод по авт. св. 1178272, отличающийся тем, что, с целью повышения рабочей частоты путем уменьшения последовательного сопротивления диода, наружная поверхность мезаструктуры снабжена металлическим барьерным контактом, соединенным с пленочным металлическим выводом омического контакта.

1407341