АШМОНТАС С.П.
Изобретатель АШМОНТАС С.П. является автором следующих патентов:
Фототранзистор
Изобретение относится к области фотоэлектроники, в частности регистрации излучения. Цель изобретения - расширение диапазона спектральной чувствительности в инфракрасную область . Фототранзистор включен по схеме с общей базой. Эмиттер выполнен из полупроводникового материала с концентрацией основных носителей, при которой коэффициент поглощения регистрируемого излучения на них удо...
1407353Способ регистрации ик-излучения
СОЮЗ СОВЕТСНИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ РЕСПУБЛИН А1 (51) 5 Н О1 L 31/10 ЮЭНМ с л: %МИ ! ОП=;.А ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Н A BTQPCH0MY СВИДЕТЕЛЬСТВУ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ ПРИ ГННТ СССР (46) 23.04.91. Бюл. Ф 15 (21) 4204523/25 (22) 04.03.87 (72) Я.A,Îêñìàí, И.Я,Мармур, С,П.Ашмонтас и Й,Й.Градаускас (53) 621.382.(088.8) (56) Фотоприемники видимого и ИК-диа...
1478918Способ преобразования инфракрасного излучения
(5I)5 Н 01 L 31/10 „", Ф «;г7;„>„ г., г,, .@ ф, СОЮЗ СОБЕТРЖИХ СОЦИДЛИСТИЧЕСНИХ >. - = < >1ф . РЕСПУБЛИН . =.Г ГОСУДА СТНЕННЫЙ НОМИТЕТ ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ ПРИ ГННТ ССа (1it,-ting cliocles-, Appl Phys Lett, 1983, v.< 2, N 3, ?76-278, (5 4 ) C110(."ОБ 11РГОБРАЗОБАНИЯ ИНФРАКРАС- . НОГО ИЗЛУ IГНИЯ (57) Изобретение относится к полупроводникогой оптоэлектронике, конкр...
1538834Фотокатод для инфракрасной области спектра
Изобретение относится к электронной технике, в частности к эмиссионной электронике, и может быть использовано при производстве фотокатодов . Целью изобретения является расширение спектрального диапазона фотокатода за край собственного поглощения полупроводника. Фотокатод для инфракрасной области спектра, с внешним электрическим смещением, содержит многослойную полупроводниковую с...
1579322Способ малоинерционной регистрации инфракрасного излучения
Изобретение относится к способу регистрации инфракрасного излучения Цель изобретения - расширение спектрального диапазона регистрируемого излучения в длинноволновую область спектра и управление спектральным порогом фотоответа - достигается путем выбора в качестве приемника транзистора со структурой полупроводник - металл - полупроводник с определенными в соответствии с расчетным...
1662219