РОЖКОВ СЕРГЕЙ ВЛАДИМИРОВИЧ
Изобретатель РОЖКОВ СЕРГЕЙ ВЛАДИМИРОВИЧ является автором следующих патентов:

Способ определения энергии ионизации глубоких уровней в полупроводниках
Изобретение относится к метрологии электрофизических параметров nor лупроводников. Цель изобретения - обеспечение возможности определения энергии ионизации глубоких уровней в полупроводниках с высокой концентрацией центров, дающие глубокие уровни . Изобретение основано на явлении возникновения колебаний тока в цепи, содержащей поверхностно-барьерный переход , и температурной зави...
1408474