Паринов В.С.

 Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано при изготовления интегральных микросхем на МДП-транзисторах. Цель изобретения - увеличение выхода годных структур за счет предотвращения электрического пробоя слоев двуокиси кремния толщиной до 75 нм на рабочей стороне подложки при плазмохимическом травлении. На рабочей стороне кремниевой подложки формируют слои...