ОСТРОВСКИЙ И.В.

  Изобретение относится к электронной технике и позволяет повысить качество монокристаллов. Способ включает выдержку расплава перед выращиванием при давлении не более 0,1 мм рт.ст. в течение 1-10 мин и рост монокристалла кальций-ниобий-галлиевого граната на вращающуюся затравку в атмосфере инертного газа, содержащего кислород. Получень монокристаллы диаметром 30-35 мм, содержащие н...