Стоянов А.И.

  Изобретение относится к микроэлектронике. Способ включает формирование на кремниевой подложке областей истока, стока и подзатворного диэлектрика, формирование металлической разводки, подгонку порогового напряжения Uп путем облучения дозой рентгеновского излучения, пропорциональной величине Uп . Для повышения производительности способа путем сокращения времени на выполнение операции подго...