Шалапаев С.Н.
Изобретатель Шалапаев С.Н. является автором следующих патентов:

Двуслойная диэлектрическая структура и способ ее получения
1. Двуслойная диэлектрическая структура на германиевой подложке, состоящая из верхнего слоя нитрида кремния и промежуточного слоя, отличающаяся тем, что, с целью улучшения электрофизических свойств границы раздела германий-диэлектрик за счет снижения плотности поверхностных состояний, промежуточный слой выполнен из оксинитрида германия. 2. Способ получения двуслойной диэлектрической струк...
1426352