Селезнев Б.И.

 Изобретение относится к электронной технике, а именно к технологии изготовления полупроводниковых приборов. Цель - улучшение параметров и повышение выхода годных германиевых планарных транзисторов - достигается за счет того, что после проведения всех высокотемпературных операций по формированию транзисторных структур на поверхности Ge выращивают планку GeO2 толщиной 100 . После этого ее о...

 Изобретение относится к технологии электронной техники и может быть использовано в производстве тонкопленочных гибридных интегральных схем при изготовлении тонкопленочных конденсаторов . Цель изобретения - повышение напряжения пробоя и увеличение влагостойкости. На диэлектрическую подложку, например ситалловую, вакуумным термическим испарением при давлении 2,6610-4 Па и температуре подлож...