Зеленова С.И.

 Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на улучшение электрических параметров интегральной схемы за счет увеличения пробивного напряжения перехода коллектор-база p-n-p-транзистора и улучшения воспроизводимости параметров p-n-p-транзисторов. Это достигается тем, что формирование высокоомной области коллектора p-n-p -транзистора производится диффузией примеси p-типа и...