Ачкасов В.Н.

  Изобретение относится к мифоэлектронике и может быть использовано при изготовлении КМОП больших интегральных схем. Цель - упрощение способа изготовления интегральных схем за счет исключения длительных выскотемпературных операций для формирования областей изоляции, улучшения-электрических параметров и надежности интегральных схем за счет исключения утечек тока по поверхности подло...

 Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, а более конкретно к изготовлению МДП БИС. Цель изобретения улучшение эксплуатационных характеристик МДП БИС, стабилизация ее параметров и повышение процентов выхода годных МДП БИС. На кремниевых подложках формируют полевой окисел толщиной 1,0 мкм. Формируют области истока и стока, слой подзатворного диэлектрика то...

  Использование: микроэлектроника, изготовление вентильных матриц больших интегральных схем. Сущность изобретения: предложенный способ позволяет повысить плотность упаковки активных элементов схем без снижения радиационной стойкости БИС. Полевой слой оксида кремния в накопителе матрицы формируют только под областями контактов поликремния с металлизацией со смещением относительно поперечной...

  Использование: микроэлектроника, для изготовления БИС КМОП, использующих в качестве межсоединений поликремниевые слои, легированные донорными примесями с целью повышения надежности и улучшения воспроизводимости. Сущность изобретения: способ включает формирование на кремниевой структуре, содержащей полевые и затворные области и первый уровень поликремниевых межсоединений, активных областе...