Головач И.И.

  Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано при изготовлении оптоэлектронных приборов с применением техники жидкостной эпитаксии. Цель изобретения - упрощение технологии изготовления омического контакта и сокращение времени изготовления структур. Тыльную сторону исходной подложки из арсенида индия совмещают с поверхностью пластины из инертного термостой...