Лапатин Л.Г.

  Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для неразрушающего контроля полупроводниковых материалов. Цель - повышение точности измерений величины и определение знака поверхностной фото-ЭДС полупроводников. Устройство содержит импульсный источник 1 света, конденсаторную ячейку 2 с полупрозрачным электродом, импульсный усилитель 3, индикатор 4, генератор 5...