ВАСИЛЕНКО А.Ю.

  Изобретение относится к технологии получения монокристаллов пытягиванием из расплава. Обеспечивает увеличение скорость выращивания. Устройство содержит установленные на платформе формообраэователи. Платформа с формообразователями размещена в тигле с расплавом. Формообраэователи имеют сужающуюся верхнюю часть. Ее высота составляет (2-4) d, где d -с толщина выращиваемого кристалла....